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硅半导体辅助B酸催化脱水:可见光照射下果糖高选择性合成5-羟甲基糠醛

2022/11/18 17:33:51  阅读:139 发布者:

硅半导体辅助B酸催化脱水:可见光照射下果糖高选择性合成5-羟甲基糠醛

作者:Ken Tsutsumi , Natsuki Kurata

期刊:Applied Catalysis B: Environmental

影响因子:24.319

摘要

利用半导体材料在可见光照射下促进Brønsted酸催化果糖脱水制备5羟甲基糠醛(HMF)。在所提出的反应系统中,半导体将光转化为热,将化学能传递给衬底。发现硅比Fe2O3WO3TiO2更适合于将果糖转化为HMF。并且涂有硅醇基团(sioH)的硅半导体即使在80C也能提供几乎定量的HMF收率(97%)。这一结果表明,sioH催化剂选择性地向起始原料果糖提供能量,而不是向所需产物HMF提供能量,从而防止了副反应。

催化剂的制备

采用浸渍法制备了金属负载半导体,Si粉在HF (46%40 mL)水溶液中搅拌40 min。样品用去离子水漂洗3次,用甲醇和丙酮漂洗2次,然后在常压条件下干燥24 h。得到的粉末加入H2O2 (30%20 mL)水溶液中搅拌24 h。固体残渣洗涤后得到的固体在室温下真空干燥。

催化剂的表征

x射线粉末衍射图清楚地显示sioH具有硅的晶体结构(2),因此在sioH制备过程中

晶体结构是稳定的。

实验内容

对比了不同的催化剂材料对产率以及HMF选择性影响,发现硅半导体材料的产率较高,二氧化钛作为常见的光催化半导体材料产率为0,是因为二氧化钛主要吸收紫外光,对可见光的响应不强。而高纯度的硅不如99%的硅产率和选择性高,主要是因为99%的硅半导体材料相比纯硅材料具有更大的表面缺陷,有更强的吸附性,吸附果糖在半导体表面发生氧化反应,并且表面缺陷结构有利于光照下空穴与电子分离,空穴迁移到半导体表面发生氧化反应。表面吸附了OH的硅材料产率高达97%,因为果糖的羟基与硅表面的硅醇基之间形成氢键,选择性地吸附在硅表面,有效地将Si的化学能转移到果糖上。

对比了不同的无机酸,发现磷酸对HMF的产率效果最好,采用H3PO4作为合适的Brønsted酸催化剂用于果糖脱水。此外,sioH可能作为Brønsted酸促进果糖的转化。随后测试了不同浓度的磷酸对转化率和产率的影响,发现4.6M的磷酸效果最好。

实验结论

半导体通过光向热的转化,协助Brønsted酸催化的果糖脱水。特别是,可见光激活的sioh半导体防止不必要的副反应,从果糖几乎定量在80C羟甲基糠醛。这是因为sioh具有选择性吸附(脱附)果糖(HMF)的分子识别能力。这是半导体系统在有机转化中的首次应用。利用半导体,特别是可见光激活硅的基本概念,将有助于半导体材料的发展,不仅能够促进糖的转化以提供有价值的化学物质,而且还能促进各种有机合成反应,特别是实现顺序反应的控制。

转自:“科研一席话”微信公众号

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