2D半导体中用于选择性稀杂质成像的单原子缺陷电导率
2023/8/22 9:05:33 阅读：72 发布者：
以下文章来源于低维 昂维 ，作者低维 昂维
成果介绍
精确控制杂质掺杂在现代半导体技术中具有基础性的意义。所需的物理性质通常在杂质浓度远低于百万分之一水平时实现。对于新兴的2D半导体，在这样的稀浓度极限内识别和定量杂质的固有困难阻碍了可靠掺杂策略的发展，因为要检测的原子的绝对数量不足以用于普通的分析技术。
有鉴于此，近日，新加坡国立大学Goki Eda教授团队报道使用导电原子力显微镜对稀单原子杂质进行快速高对比度成像。研究发现，由于共振辅助的隧穿，单个杂质原子的局部电导率提高了100倍以上。与密切相关的扫描隧道显微镜不同，局部电导率敏感地依赖于杂质能级，允许选择性地对少数缺陷进行成像。本文进一步展示了多层材料中单层深度分辨率的亚表面杂质检测。
文献信息
Single Atomic Defect Conductivity for Selective Dilute Impurity Imaging in 2D Semiconductors
（ACS Nano, 2023, DOI:10.1021/acsnano.3c02758）
文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.3c02758
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