破解2D MoS2的空位缺陷演化，实现可靠的晶体管

以下文章来源于低维 昂维 ，作者低维 昂维

成果介绍

2D MoS2是下一代集成电路(IC)晶体管的优秀候选沟道材料。然而，由于硫空位(VS)等空位缺陷的严重威胁，MoS2的可靠性备受关注。评估空缺缺陷对MoS2晶体管使用可靠性的影响至关重要，但由于难以系统地跟踪和分析服务环境中空缺缺陷的变化和影响，一直受到限制。

有鉴于此，近日，北京科技大学张跃院士，张铮教授和廖庆亮教授（共同通讯作者）等建立了一个模拟引发剂来解析MoS2中空位缺陷的演变及其对晶体管可靠性的影响。结果表明，在引发过程中，通过缓慢富集分离出1.3%以下的VS。超过1.3%的VS倾向于成对富集，超过3.5%的VS容易演化成纳米孔。沟道中电子掺杂的富集VS导致阈值电压(Vth)负漂移接近6 V，而扩展的纳米孔引发晶体管的Vth滚降和穿通。最后，本文提出了硫蒸汽沉积来限制VS的富集，并构建了可靠的MoS2晶体管。本文的研究为破解和识别缺陷的影响提供了一种新的方法

文献信息

Deciphering Vacancy Defect Evolution of 2D MoS2 for Reliable Transistors

（ACS Appl. Mater. Interfaces, 2023, DOI:10.1021/acsami.3c07806）

文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.3c07806

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