基于全2D范德华异质结的高性能自供电光电探测器

以下文章来源于低维 昂维 ，作者低维 昂维

成果介绍

2D材料为构建快速响应和高灵敏度的肖特基异质结器件提供了有效的策略。然而，块材金属电极与2D半导体材料接触处的强费米钉扎极大地阻碍了这种器件在光电子学中的广泛应用。

有鉴于此，近日，电子科技大学王军教授，苟君副教授和吴志明教授（共同通讯作者）等基于金属性2H-NbSe2和半导体MoSe2组成的全2D范德华(vdWs)异质结，制备了高性能自供电光电探测器。得益于强大的内建电场，该器件具有2.1×103的高整流比。此外，在无外部电压的405~980 nm宽谱范围内可以观察到光伏效应，其中650 nm处的最大响应度为64.92 A W-1，最大比探测率为2.39×1014 Jones，开/关电流比大于105。同时，在NbSe2/MoSe2的高质量异质界面上，有效的电荷分离使得响应/恢复时间达到180/80 μs。这项工作展示了2D金属性NbSe2作为形成肖特基异质结的电极，在实现近红外通信的高性能宽带光电探测器的潜力。

文献信息

Self-Powered Photodetector with High Performance Based on All-2D NbSe2/MoSe2 van der Waals Heterostructure

（Adv. Optical Mater., 2023, DOI:10.1002/adom.202300905）

文献链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adom.202300905

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