基于2D PdSe2薄膜的高灵敏度宽带辐射热光电探测器

以下文章来源于低维 昂维 ，作者低维 昂维

成果介绍

PdSe2是一种具有窄带隙的半导体，在高性能宽带光电探测器方面显示出巨大的前景

有鉴于此，近日，电子科技大学兰长勇副教授，李春教授和香港城市大学Johnny C. Ho（共同通讯作者）等报道了聚酰亚胺(PI)衬底上的高灵敏度，宽带且柔性PdSe2薄膜光电探测器，可以探测从UV(365 nm)到红外(2200 nm)区域的光。具有厚(21 nm)PdSe2薄膜的器件表现出良好的性能，在1550 nm处具有37.6 mA W-1的良好响应率和快速的响应时间。对于厚的PdSe2薄膜，辐射热效应主导了所有波长区域的正光响应，而对于同时显示正和负光响应的薄PdSe2薄膜(4.5-13 nm)，辐射热效应在红外区域占主导地位。薄PdSe2在UV到VIS区域的负光响应归因于气体分子电荷转移相关的吸附和解吸。详细研究表明，电阻温度系数(TCR)值与薄膜厚度密切相关，最薄膜的绝对TCR值最高，可达4.3% ℃-1。该值远远大于金属、大多数2D材料、非晶硅，甚至商用VOx。这些研究发现表明PdSe2薄膜在宽带光电探测器中具有广阔的应用前景。

文献信息

Highly Sensitive Broadband Bolometric Photodetectors based on 2D PdSe2 Thin Film

(Adv. Optical Mater., 2023, DOI:10.1002/adom.202301055)

文献链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adom.202301055

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