通过光刻雕刻的六方氮化硼，设计2D材料的应变和层间激子

以下文章来源于低维 昂维 ，作者低维 昂维

成果介绍

应变工程已迅速成为修改2D材料电子、光学和磁性质的可行选择。然而，任意控制应变仍然具有挑战性。

有鉴于此，近日，台湾国立成功大学Tse-Ming Chen，Chung-Lin Wu和Yi-Chun Chen（共同通讯作者）等研究表明，通过在六方氮化硼中构建原子级平面纳米结构，实现了对高质量MoS2应变分布和大小的任意片上控制。声子和激子发射根据应变场设计而变化，使得能够在单个芯片上编写和绘制任何光致发光彩色图像。此外，应变工程提供了一种在室温下显著和可控地改变层间激子强度和能量的有力手段。这种方法可以很容易地扩展到其他材料系统，并为功能激子器件提供了希望。

文献信息

Engineering the Strain and Interlayer Excitons of 2D Materials via Lithographically Engraved Hexagonal Boron Nitride

(Nano Lett., 2023, DOI:10.1021/acs.nanolett.3c01208)

文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.3c01208

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