“后摩尔时代芯片关键新材料与器件教育部重点实验室”建设计划通过专家论证

6月25日上午，后摩尔时代芯片关键新材料与器件教育部重点实验室（以下简称实验室）建设计划可行性专家论证会在我校举行。校长杨仁树，中国科学院院士、新金属材料国家重点实验室主任、前沿交叉科学技术研究院院长张跃，副校长张卫冬，实验室各研究方向学术骨干参加会议，会议由科学技术研究院副院长吕祥锋主持。

会议现场

论证专家组由中国科学院院士、清华大学教授南策文担任组长，专家组成员有中山大学原常务副校长孙冬柏教授、北京化工大学副校长王峰教授、国家纳米科学中心副主任唐智勇研究员、北京航空航天大学郭林教授、中国科学院微电子研究所夏洋研究员、中国科学院半导体研究所牛智川研究员、中国科学院理化技术研究所李来风研究员、中国科学院过程工程所王丹研究员、中国科学院物理研究所白雪冬研究员。

张卫冬代表学校对各位领导和专家的到来表示热烈欢迎。他指出，实验室的建设目标是打造多学科深度融合、高水平、全链条的前沿交叉研究平台，建立后摩尔时代先进芯片的中国赛道，破局我国芯片技术长期受制于人的困境。他提到，去年习近平总书记在给我校老教授们的重要回信中对我校提出了“为铸就科技强国、制造强国的钢铁脊梁作出新的更大贡献”的殷切希望，实验室的建设正是落实总书记重要回信精神的具体举措之一。他表示，学校将高度重视实验室的建设发展，落实各项建设措施，加大投入支持，加强规范管理，全力以赴做好实验室的建设运行管理服务和条件保障，为芯片制造领域关键核心技术攻关贡献北科智慧和力量。

现场考察

实验室主任廖庆亮教授从实验室基本信息、研究内容与预期目标、人才队伍建设与人才培养办法、实验室管理运行机制与经费保障、实验室人员和学术委员会组成、依托单位支持情况等方面汇报了实验室建设计划。经现场考察和会议讨论，专家组认为，实验室建设意义重大、研究基础扎实、条件保障有力、建设计划可行，一致同意通过论证。

杨仁树最后作总结讲话，他代表学校对各位领导和专家表示感谢。他指出，学校下一步将按照各位专家提出的意见建议，进一步完善实验室建设计划，加强对实验室建设所需的经费、场地等各类条件保障和政策支持，努力将实验室打造为教育部重点实验室建设的标杆。

今年3月，依托我校建设的后摩尔时代芯片关键新材料与器件教育部重点实验室获批立项建设。实验室由我校前沿交叉科学技术研究院汇聚材料、信息、纳米、物理和化学等相关学科优势力量申建，聚焦二维半导体材料等突破尺寸微缩极限的变革性材料新体系，发展晶圆级二维半导体材料可控制备新方法与新装备，建立新原理低功耗器件的功能耦合与系统集成新技术，研制低世代制程等效替代先进制程的高算力逻辑电路新架构，形成与硅基CMOS工艺兼容发展的后摩尔时代先进制程新材料与器件发展技术路线。

来源：科研院

转自：“北科科研”微信公众号

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