2025年先进半导体、电子器件与集成技术国际会议（IASEDT 2025）

2025年先进半导体、电子器件与集成技术国际会议（IASEDT 2025）

2025 International Conference on Advanced Semiconductors, Electronic Devices and Integrated Technologies（IASEDT 2025）

●重要信息

会议地点：厦门，中国

截稿时间：以官网为准（延期投稿者请联系大会蒋老师咨询）

会议网址：www.global-meetings.com/iasedt

投递邮箱：icamf_info@163.com【投稿请附言：IASEDT 2025+通讯作者姓名+蒋老师推荐】，否则无法确认您的稿件。

接受/拒稿通知：投稿后3个工作日左右

●会议简介

2025年先进半导体、电子器件与集成技术国际会议（IASEDT 2025）定于中国厦门举行，本次会议旨在汇聚全球半导体领域的顶尖学者、行业专家和企业领袖，共同探讨最新的研究成果和技术进展。会议将涵盖先进半导体器件的设计、制造、材料，以及电子器件与集成技术在各类应用中的创新，与会者将有机会参加主题演讲、专题讨论和技术展示，深入了解行业动态，分享前沿经验。

●论文收录

向IASEDT 2025提交的所有全文都可以用英语书写，并将发送给至少两名评审员，并根据原创性、技术或研究内容或深度、正确性、与会议的相关性、贡献和可读性进行评估。IASEDT 2025所有被接受的论文将在会议记录中发表，并提交给Scopus、EI Compendex、CPCI、CNKI、Google Scholar进行索引。

●征文主题（以下主题包括但不限于）

主题1.先进半导体

新型半导体材料及其在器件中的应用高性能MOSFET设计与优化

能耗效率优化的功率器件技术

超越硅的III-V族化合物半导体器件

微光电半导体传感器及其应用

半导体激光器及其新兴应用领域

石墨烯和其他二维材料器件

量子点和量子阱半导体器件

新型存储器器件：RRAM, MRAM, FeRAM

低温电子器件的挑战与机遇

高频和高功率器件的突破性技术

硅基光电子器件及其集成技术

隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究

半导体器件的可靠性与老化机制

先进封装和互连结构对器件性能的影响

主题2.电子器件

航天器结构与设计

电路设备和系统

模拟电路和数字电路

电磁和光子学

电子测量

可编程控制器

传感器原理及应用

电力电子和能源系统

电工内线与电气安全

电机与电气控制

电子设计自动化

纳米机电系统

光子学与光电子学

电路和电子学制造工程

主题3.集成技术

三维集成电路及其制造工艺

片上系统(SoC)与集成方法

芯片异构集成技术

封装级集成技术的发展与创新

集成电路中的热管理技术

射频集成电路及其设计优化

人工智能与机器学习在集成电路设计中的应用

先进模拟与混合信号集成电路

电源管理集成电路技术

集成电路设计中的可靠性与安全挑战

硅光子学互连技术

超大规模集成技术的最新进展

新兴存储器集成技术

模块化MEMS与NEMS的集成应用

智能传感系统的集成与创新

●提交论文

1.直接将您的文章或摘要投到我们的会议邮箱，我们收到后会第一时间回复您。

投递邮箱：icamf_info@163.com（投稿请附言：IASEDT 2025+通讯作者姓名+蒋老师推荐），否则无法确认您的稿件。

2.审稿流程：作者投稿-稿件收到确认（1个工作日）-初审(1-3工作日) -告知结果（接受/拒稿），越早投稿越早收到文章结果。

●投稿说明

1.本会议官方语言为英语，投稿者务必用英语撰写论文。

2.稿件应为原创作品，未在国内外刊物上发表过,不接受一稿多投。作者可通过Turnitin查询系统查重。涉嫌抄袭的论文将不被出版。

3.请根据格式模板文件编辑您的文章。

4.文章至少6页。学生作者或多篇投稿有优惠。

5.只做报告不发表论文的作者只需提交摘要。

6.投稿请附言：IASEDT 2025+通讯作者姓名+蒋老师推荐，否则无法确认您的稿件。

●联系方式

组委会：蒋老师

电话咨询：19013297371（微信同号）

QQ咨询：3761629232

（您将在第一时间得到回复，添加时请备注“IASEDT 2025”）

会议官网：www.global-meetings.com/iasedt

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