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《半导体技术》稿约

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本刊以半导体材料、器件和集成电路的设计与制造、封装与检测、研究与应用、半导体生产设备及半导体产业发展趋势等方面的文章为主。技术文章要论点明确、数据可靠，具有一定的创新性和前瞻性; 综述文章应条理清晰、论述透彻，结论应给出发展趋势、研究重点等方面的分析。

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1. 标题(20个字以内) 、关键词(反映文章特征内容5个) 、作者姓名(不超过6 位) 、单位地址(含省、市、邮编) 、摘要(以上各项均要求中英文) 要齐全;

2. 摘要部分应语义确切，表述简明，文字不能与正文雷同，篇幅以220 ～ 300 个汉字为宜。技术文章摘要包括: 目的、方法、结果和结论; 综述文章摘要包括: 对所述的研究或技术发展情况进行简要概述，该技术目前的发展水平、作者的评论及未来展望等;

3. 请按文章的专业提供中图分类号、EEACC 或PACC 分类号;

4. 文中涉及到的物理量和计量单位应符合国家有关标准; 表格采用三线表;

5. 正文插图应标注横纵坐标的量和单位，物理量的符号用斜体字母标注，单位符号应使用正体字母标

注，用“/”与量纲单位隔开，如: V /V; J /(μA•cm － 2 ) ，图中的文字和线条必须保持清晰;

6. 参考文献(已公开发表) 请用［］上角标形式在文中按顺序标出，参考文献为多作者的只写前三作者，采取姓前名后，“姓”全称全大写，“名”缩写。需给出中文参考文献的英文翻译，范例:

［1］ 于宗光，黄伟，李海鸥． 硅基GaN 超级结器件研究［J］． 半导体技术，2014，39(1) : 51 － 55.

YU Z G，HUANG W，LI H O. Investigation about novel superjunction gallium nitride device based on silicon substrate ［J］． Semiconductor Technology，2014，39(1) : 51 – 55( in Chinese) .

［2］ 施敏，伍国珏. 半导体器件物理［M］. 耿莉，张瑞智，译． 第3 版. 西安(出版地) : 西安交通大学出版社(出版者) ，2008: 131 – 138.

［3］ TANG X，LI B，CHEN K J． On-chip optical pumping of deep traps inAlGaN /GaN-on-Si power HEMTs［C］//Proceedings of the IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices ＆ IC's (ISPSD) ，Hong Kong，China (会议地址) ，2015 : 201-204.

7. 请提供最多三位作者的简介( 在校生要给出导师简介) ，含姓名、性别、出生年、出生地、学历及职称、技术专长和研究方向，并在文后附第一作者近期一寸免冠证件照;

8. 请在文后提供详细通信地址及联系电话( 便于后续编辑时联系) ，回复邮件时请写明稿件编号;

9. 审稿意见45 天左右回复，见刊周期4 ～ 6 个月。

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《半导体技术》编辑部